古のマザー ECS P6ISA-II(その1)


★ついでにテキトー計測
wave_switch
 一応スイッチング波形を見ておく。絵に描いたようなECS風だな。機種も個体差もあるだろうに、何でどの機種もこんなに似てるんだろう。これは安定した製造技術の高さ(低さ?)を表しているのだろうか。サージがやや多め。プラス方向のサージは下側、マイナス方向のサージは上側スイッチの影響っぽい。経験的にはコンデンサを交換すると上側のサージに変化が見られる場合が多い。

 スイッチング周波数は239kHzで、リファレンス設計の推奨?220±30kHz範囲には入っている。もっともリファレンスから変えてくるような明確な意思を持つメーカーは殆ど無い。HSDLで測定した中ではDFIだけかな(注)。終いがG-Luxonなのでリプルの観点からはもっと高い方が良いような気もするが、200kHz辺りが効率上は望ましい。

注:同じコントローラを使ってもPA61とこれだけ違いが出る。これのがスイッチ波形だが、同程度の構成でもサージが少ない。DFIとECSの差と言ってしまえばそれまでだが。ちなみに両方ともコンデンサは同じ位草臥れているので言い訳は出来ない(^ω^) でも同じECSのP6STP-FL(HSDLスペシャル)はここまで良化した。今ならもっと減らせるけどね。



★部品一覧
 まずはコンデンサ+インダクタを列挙してみる。どうでも良い所はその他でテキトーに括った。ボード上のアルミ電解コンデンサは全てG-Luxon製である。VRM出力は当初設計では7本で、TC17は基板設計前に削除されたのだろう。

LL1(VRM入力):T50-52,#18,8T
LL2(VRM出力):T50-52B,#17,9T
TC3,7(VRM入力):LZ1500μF6.3V×2
TC13-16,18,19(VRM出力):LZ1500μF6.3V×6
MC15,19,20,28,29(s370内):MLCC10μF×5(省略)
TC1(Vcc3.3):LZ1000μF6.3V
TC2(AGP3.3):LZ1000μF6.3V
TC4(LL1外):LZ470μF6.3V(省略)
TC5,10,38(その他):SM100μF25V×3
TC6(PLLリファレンス):FX33μF16V
TC8,11,39,43(その他):SX10μF25V×4
TC29(その他):SX10μF25V(省略)
TC9,41(USB):LZ470μF6.3V×2
TC12,24,25(Vmem):LZ1000μF6.3V×2(12省略)
TC17,20(ICS9250_DC):SX10μF25V×2
TC23(Vtt1.5):LZ1000μF6.3V
TC26(1084出力):LZ1000μF6.3V
TC27(Vcc1.8):LZ1000μF6.3V
TC28,30(サウンド出力):SM100μF25V×2
TC31(AGP1.5):LZ1000μF6.3V
TC34(PCI/5V):LZ1000μF6.3V(省略)
TC42(PCI/3.3V):LZ1000μF6.3V(省略)
TC35(78L05出力):SX10μF25V
TC36(PCI/12V):SX10μF25V
TC37(LD1117出力):SM100μF25V(省略)
*省略は推定。

・使用コンデンサ&インダクタのプロファイル
LZ1500μF6.3V、10φ×16mm、64mΩ/810mA×8
LZ1000μF6.3V、8φ×14mm、100mΩ/700mA×8
LZ470μF6.3V、6.3φ×11mm、250mΩ/250mA×2
SM100μF25V、6.3φ×11mm、145mA(一般用)×5
FX33μF16V、5φ×5mm、44mA(一般用)
SX10μF25V、4φ×7mm、30mA(一般用)×8
LL1=2.1μH(0A)/1.7μH(8A),3.5mΩ(35℃)
LL2=3.5μH(0A)/1.85μH(17A),3.6mΩ(35℃)


buhin
 使用部品も集めておく。この程度ならHSDLパーツセンター?ですぐに集まる。手持ち品で出来る限り最適化するが、使いたい部品を優先するのでベストとは言いがたい。手持ち品でももっと良い組み合わせがあるが、ECSに良い部品を使うのは激しく抵抗がある(^^ 少ないと思ってたけど、こうして集めてみると(追加もあるから)結構な量だな。