★パワーMOSFET
power_mosfet
 いつの間にか、D2Pak(TO263)のパワーMOSFETが貯まってしまった。ちょっと前にマザーボードを破棄しまくったからだろう。

・CET6030L×7個
 本家6030によく似た製品(^^ セカンドソースと言うには特性が違う。カタログデータ上は勝っている部分も多い。どちらにしてもP6世代としては充分な性能だ。古いマザーでよく見かけるPHB50N03LTが下側に使われていたら、この石と交換してみるのも面白いかもしれない。大して違わないだろうけど発熱が減る。もし下側にCEB603ALが使われていたら迷わずこれに交換だ。

・FDB6030L×4個
 これが本家本元(^^ 上下共に使えるオールラウンドプレイヤー。但し下側は7世代用にはチトきついかも。その場合は7030を使おう。

・FDB7030BL×3個
 低RDSonの石。スイッチングの速いFDB6030を上側スイッチにして、これを下側に使うのが通。

・FDB6035AL×2個
 6030の後継。使い方は全く同じ。GA-8IG1000 Pro-Gで使った奴。

・IPB10N03L×2個
 OptiMOSと称する。6030を一段性能アップした感じ。上下共に使える。7世代でもそれほど見劣らない。K7N415Proで使った奴。

 これでD2はいくら飛んでも大丈夫?しかし予備がある奴は大概死なないんだな。やはり入力コンデンサ実験をやるしかないな。態々危険な事をして飛ばす必要も無いんだが。


★i82562
82562et
 実はi82562ETも2個発見された。これをICHマザーの基板の実装されていない部分に付けてみるか?今更100BASEのLANだが。他にクロックジェネレータICも幾つか出てきたが、足の配列が意図的に変えられているので付かないだろう。WS440BXに付けたかった。


★GA-8IG1000 Pro-G(その後)
 やっぱ変だな。12Vを12A流してもシミュレーションではこんなに発熱するほどリプルは流れないんだけど。FC1000μF25Vが1本だけ離れているのがいけないのかも。FETの発熱にバラつきがあるのも含めて、基板設計が悪いんじゃないかと言う疑いが出てくる。シミュレーションではコンデンサが均等に並んでいる前提だからね。もっとも「4.3mΩだった所へ14mΩを付けて発熱が酷いは無いだろう」と言う声もあるが。ちなみに約700mV振れているのだが、こっちの方が余程ヤバイような気がしてきた(^^; 3相だとどのくらいまで許容されるんだろうか。パワーMOSFETさん、問題解決するまで死なずに頑張って。


★DR-B350ATX(その後)
 手を付けたくないと書いたが、手を付けなければならない事態になりそうだ。P4B533にTi4200を付けたら起動したりしなかったり。起動しない時はマザーの電源チェックで引っかかっているようで、恐らくどこかの電圧が足りていないのだろう。このTi4200は3.3Vからコア電圧を生成しているので5V系が電圧降下しているんじゃないか?(注)でも仕様から行けば足りないはずは無いんだがなー。CPUのVcoreは12Vだし、5VラインなんてTigerMPに比べれば屁みたいなもの。やっぱり精密検査の必要があるか?

注:3.3Vは5VからDC-DCで生成されているので、3.3Vを引っ張り過ぎると5Vが音を上げる。