★MSI 915GM-FR
915gm_fr
 正直、最近はイロイロ差すのに疲れてきたので、最低限とは言えオンボードで全部載っているこの手のM-ATXマザーが一番。リサイクル市場では全く人気の無い915だが全然オッケー。ペン4系の6XX、5XX、3XXが載る。Core系、PenD系は動かない。


★動かねぇぇ!
 いつものように特攻用SL7TP+PC2100×2で電源投入。しかしBIOSはメモリエラーを表すビープ音を発して起動しない。DDRは相性がヒドイので1枚に減らしてみたがそれでも動かない。次々テストしたが特攻用DDRメモリ6枚中動いた物は無し。頭に来て特攻用ではないインフィニオンのPC3200を付けたら漸くBIOSが起動した。これってメモリ系のコンデンサが逝かれているんじゃないだろうか。何年か使ってひと月くらい放置していたというのが怪しい。活入れして翌日試したがやはりkingmaxもNANYAもV-Dataも動かない。


★そこでちょっと観察
 ところでコイツなかなかのツワモノだ。VRM10.1コントローラはISL6565だが、出力コンデンサが二通りのパターンが使える。これほど大胆に、実装位置まで完全に分けている基板は初めて見た。他のメーカーでは無いんじゃないかな?全固体化厨房には格好のマザーだね(^^ このマザーはリテール版だがOEM用にも使われると思われる。相手の出方$次第で固体になったり非固体になったりするのだろう。きっと生産と設計の仲が悪いんだろうな…少なくとも設計者は生産を信用していない。きっと固体のパターンだけだと悲惨になるから、非固体のパターンを別に作って本数や銘柄を指定したのだろう。どこかで見た事がある状況だ。ある意味優秀な設計の基板と言えるかもしれない。設計に関心がある人はよく見ておこう。

SEPC560μF2.5V×8(推定)
3300μF6.3V×2と1800μF6.3V×4

SEPC560μF2.5V(8mΩ/4700mA)
FJ3300μF6.3V(12mΩ/2800mA)
MCZ1800μF6.3V(12mΩ/2350mA)

 ,鉢△惑啾召芭省付ける必要は無い。VRM入力は共通で1000μF16V×4だ。このマザーではニチコンHN1000μF16V(12mΩ/2220mA)だが、日本ケミコンKZGが付いているのも見た事がある。

vrm
 残念ながらコイツは△世辰拭松下FJ3300μF6.3V×2、ルビコンMCZ1800μF6.3V×4が付いている。これでもTDP100W級CPUを付けなければ不満は無いのだが、FJの位置から言ってCPUクーラーの邪魔になるし固体の方が良かった。それでもオールRLA680μF4V(注)よりはずっとマシ。アレは殺意が沸くほどだった。このマザーはニチコン・ルビコン・松下製コンデンサなのでソコソコ持つだろう。

cpu_dc
 でもやっぱりぶん回すにはもっとDCしないといけないと思う。CPU裏に3つ空きランドが存在するので、ウチで余っているポリマー固体でも付けてみるか?設計値はソケット内にも付いているSP-CAPのCD100μF2.0V(ESR=15〜18mΩ)と思われる。それを付ければ設計者の思惑通りなので正当な評価が出来るね。

注:P965 Neoの事。使い方にも依るが、1、2年程度で全部お亡くなりになる。P965 Neoについてはいずれ「哀愁のマザー」で取り上げる事になるだろう。あまりにも哀愁漂うマザーなので…。

 "Active MOS"ご大層な名前が付いているが、ただ単にパワーMOSFETを通常と逆付けして放熱板を付けたと言う簡単なもの。放熱効果は板のサイズから言ってあまり高いとは言えないと思うが、これは「基板を暖めない」という所に狙いがある。ひいてはアルミ電解を熱で傷めないという効果を狙っている。しかしそのお陰で「比類無き安定性長寿命」は明らかに言い過ぎ。オールRLAでもそう言えるのか?現実に自爆してるじゃないかm9(^^) とは言っても低コストで出来るこの工夫は悪くない。ユーザーが後からモールドパッケージの上に貼るよりは明らかに放熱効率が良い。


★メモリ周り
vmem
 RLGと言うのは実は低インピーダンス品ではなく、長寿命105℃品一般用アルミ電解コンデンサである。ここはメモリの高周波、しかもデュアルチャネル・アクセスの波状攻撃を受けるので、高周波特性の良くない一般用は止めた方が良い。もっとも大部分の高周波はMLCCに食われるので死亡した例は無いようだが。HSDLでは交換により性能向上に期待していたりする。以前メモリ電源ラインのノイズを低減したら、エラーが低減したのか速度向上が認められた事があった。冒頭の相性改善に効果があるかもしれないのだ。もし交換するなら、

EC5(DDR_VTT_in):RLX1000μF6.3V[50mΩ/850mA]
(省略)⇒三洋WG1000μF6.3V[30mΩ/1140mA]

EC7,56(DDR_VTT_out):RLG470μF10V[NAΩ/280mA]
⇒三洋WX330μF6.3V[130mΩ/405mA]

EC17(VCC_DDR):RLG470μF10V[NAΩ/280mA]
(省略)⇒三洋WX330μF6.3V[130mΩ/405mA]

EC43,53(VCC_DDR):RLX1000μF6.3V[50mΩ/850mA]
⇒三洋WG1000μF6.3V[30mΩ/1140mA]

EC47(VCC_DDR):RLX1000μF6.3V[50mΩ/850mA]
(省略)⇒三洋WG1000μF6.3V[30mΩ/1140mA]

 こんな感じかな。入力コンデンサは殆ど省略されているな。なおEC49(省略)はメモリ関連ではなくてファンの12V_DCである。100μF16V程度で5φ×11mmの物を使う。勿論ファンのノイズが低減される。


★終わりに
 という事でこのマザーはDDRメモリ周りのコンデンサが腐っていた。発売後7年程度でダメになるというのは厳しい。これはやはり元が手抜きしているからだろう。さてこれは人のなので改造するわけにも行かず、かと言ってこのままでは使えないのでどうしたものかな。