古のマザー�� ECS P6ISA-II
古のマザー�� ECS P6ISA-II(その2)
古のマザー�� ECS P6ISA-II(その3)
古のマザー�� ECS P6ISA-II(その4)
ECS P6ISA-II MOD編その1
ECS P6ISA-II MOD編その2
ECS P6ISA-II MOD編その3
ECS P6ISA-II MOD編その4
ECS P6ISA-II MOD編その5
前回完成したVRMの波形観測をやる。何らかの変化はあるだろうか。
★静的特性
カメラマンが居ないので写真が汚い。見づらいので文章だけを読んだ方が解りやすいかもしれない(＾＾;
��LL1外波形：おやあ？線が半分くらいに細くなったけどトゲトゲは変わらないなあ。�△離好ぅ奪蘇�分が大幅に改良されて、しかもTC4を追加したのだから大幅良化するはずなんだが。LL1の巻き数を変えるか？それともTC4を増量するか？あるいはその両方か。
�⊂綢Ε好ぅ奪素鳩繊�変な形だがD815EEA(改)に似た波形となっている。理想とまでは行かないが、それに近いくらい波が減少した。サージもほぼ見られない。この部分は満足行く結果である。
��スイッチング波形：オーバーシュート、アンダーシュート共に減っているが、これは測定の影響も大きいので気にしない。最近はここは気にしてないのでテキトー(＾＾; スイッチングの改良の時にもう一度観測する。
�ぅ灰�電圧波形：インダクタンスを半分に減らしたにもかかわらず、リプルはノーマルと同等以上。線も充分に細くなっている。これはソケット内MLCCの効果だろう。この部分は満足と言える。
動的特性はインダクタンスを減らした分だけ良くなっていると考えられるので、例えノーマルと同じリプルでも悲観するには及ばない。それより入力部分があまり変わってこないのが残念。
★ブザー追加
BZ1はパターンだけ準備されているが未実装である。BIOSのPostインフォメーションはBEEPで行われるので、起動テストの時には是非とも必要だ。Postカードがあれば要らないけど。
マザーの解体でこのブザーがやたらに余っているので付けてみた。一連の改造の中で最も実用的な改造である(＾＾
実はコネクタ式になっている。汎用を狙ったわけではなく直付でもいいのだが、煩い時には外せるようにしたのだ。ところがドッコイこれでは音が出ないんだな。
実はスピーカーピンにこのようにジャンパを差さなければならないのだ。つまりこのジャンパを差すことでON-OFFをコントロールできることになります。何のことは無い、苦労してコネクタ式にする必要はなかったのだ。まあ苦労というというほど大変な作業ではないけど。真似する人は直付にしましょう(＾＾; いずれこのマザーも直付けにします。しかしこれなかなかいい仕組みだな。このマザーをちょっと見直した。
★R158
R158はGND結線用である。これを0Ω抵抗からFBに変えてみる。特に意味はないかもしれないがテストのため。
FBは特性を気にしなければ無尽蔵？にあるのでガンガン使う。但し1608が見当たらなかったので2012にした。1608用のランドなので見かけはちょっと窮屈である。
★ヒートシンク
このマザーのGMCHには一応ヒートシンクが付いているが、要求を充分に満たしているとはとても言い難い。
そこでD850MVのヒートシンクを流用した。一クラス上の物なので充分以上の効果が期待できる。
オリジナルのヒートシンクは相当強力な両面テープ(分厚いゴムみたいな奴)で付いているので、経験者や自信のある人以外は剥がすのは止めよう。下手するとチップセットや基板を破壊して再起不能になる。筆者もチップセットの基板に(小さいけど)傷が入ってしまった。
★動かしてみる
中間結果を確かめるべく動かしてみた。SL46T(16週)でOCしたらFSB83止まり。FSB100は全く起動する気配はない。改造前はFSB80だったので1段階向上したが、FSB100で動かないと喜びは少ない。FSB83はPCI=41.5MHzなので使う気になれないのだ。但しメモリが最速設定なのでそちらが原因の可能性もある。
★部品一覧
電解コンデンサの日本ケミコン限定という制約は意外に厳しかったな。サン(三洋)やルビコンも可ならもっと楽に完成できた。本当に完成させる場合は限定を外すかもしれない。
LL1(VRM入力インダクタ)→未交換
LL2(VRM出力インダクタ)→T60-19[#19x3P,7T]
MC15,19,20,28,29(CPU_DC)→MLCC15μF×5
追加(VRM入力)→MLCC22μF×2
TC 3(VRM入力)→KZE1500μF6.3V
TC 7(VRM入力)→KZE1500μF6.3V
TC13(VRM出力)→KZH5600μF6.3V
TC14(VRM出力)→省略
TC15(VRM出力)→省略
TC16(VRM出力)→KZH5600μF6.3V
TC18(VRM出力)→KZH5600μF6.3V
TC19(VRM出力)→省略
BZ1→追加
TC 1(Vclk出力)→KZH390μF25V
TC 2(ATX3.3入力)→KZH680μF25V
TC 4(LL1外コンデンサ)→LXZ100μF25V
TC 5(その他)→LXZ100μF25V
TC 6(PLLリファレンス)→PX15μF25V
TC 8(その他)→SMG10μF25V→PX15μF25V
TC 9(USB)：KY220μF10V
TC10(その他)→LXZ100μF25V
TC11(その他)→KRE22μF16V
TC12(Vmem3.3V)→KZH390μF25V
TC17(ICS9250DC)→KRE22μF16V
TC20(ICS9250DC)→KRE22μF16V
TC23(Vtt1.5V)→KZH680μF25V
TC24(Vmem3.3V)→KZH390μF25V
TC25(Vmem3.3V)→KZH390μF25V
TC26(Vcc1.8V)→KZH390μF25V
TC27(Vcc1.8V)→KZH390μF25V
TC28,30(AC97出力)→LXZ100μF25V×2
TC29(その他)→KRE22μF16V
TC31(AGP1.5V)→KZH680μF25V
TC34(PCI/5V)→KZH390μF25V
TC35(78L05出力)→KRE22μF16V
TC36(PCI/12V)→LXZ100μF25V
TC37(LD1117出力)→LXZ100μF25V
TC38(その他)→LXZ100μF25V
TC39(その他)→KRE22μF16V
TC40(その他)→LXZ100μF25V
TC41(USB)：LXZ100μF25V
TC42(PCI/3.3V)→KZH390μF25V
TC43(その他)→KRE22μF16V
F3,5,7:→1.1Aポリスイッチ
R158:→FB(2012)
・使用コンデンサのプロファイル
KRE22μF16V[NA/30mA](7)
KY220μF10V[220mΩ/340mA](1)
KZE1500μF6.3V[23mΩ/1820mA](2)
KZH390μF25V[48mΩ/1210mA](8)
KZH5600μF6.3V[13mΩ/3450mA](3)
KZH680μF25V[32mΩ/1650mA](3)
LXZ100μF25V[250mΩ/290mA](10)
PX15μF25V[75mΩ/1300mA](2)
SMG10μF25V[NA/53mA](1)
()内は本数、全て日本ケミコン製
合計＝200円(銭単位切り上げ、副資材別)
★続く
全ての部分が完成した。OC性能や安定性は上がっているが、気になる部分があるので再度調査改良が必要だ。次回はあまりよくない入力部分をもう一度見直す。但しその前に別の物件が入るだろう。
古のマザー�� ECS P6ISA-II(その2)
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ECS P6ISA-II MOD編その1
ECS P6ISA-II MOD編その2
ECS P6ISA-II MOD編その3
ECS P6ISA-II MOD編その4
ECS P6ISA-II MOD編その5
前回完成したVRMの波形観測をやる。何らかの変化はあるだろうか。
★静的特性
カメラマンが居ないので写真が汚い。見づらいので文章だけを読んだ方が解りやすいかもしれない(＾＾;
��LL1外波形：おやあ？線が半分くらいに細くなったけどトゲトゲは変わらないなあ。�△離好ぅ奪蘇�分が大幅に改良されて、しかもTC4を追加したのだから大幅良化するはずなんだが。LL1の巻き数を変えるか？それともTC4を増量するか？あるいはその両方か。
�⊂綢Ε好ぅ奪素鳩繊�変な形だがD815EEA(改)に似た波形となっている。理想とまでは行かないが、それに近いくらい波が減少した。サージもほぼ見られない。この部分は満足行く結果である。
��スイッチング波形：オーバーシュート、アンダーシュート共に減っているが、これは測定の影響も大きいので気にしない。最近はここは気にしてないのでテキトー(＾＾; スイッチングの改良の時にもう一度観測する。
�ぅ灰�電圧波形：インダクタンスを半分に減らしたにもかかわらず、リプルはノーマルと同等以上。線も充分に細くなっている。これはソケット内MLCCの効果だろう。この部分は満足と言える。
動的特性はインダクタンスを減らした分だけ良くなっていると考えられるので、例えノーマルと同じリプルでも悲観するには及ばない。それより入力部分があまり変わってこないのが残念。
★ブザー追加
BZ1はパターンだけ準備されているが未実装である。BIOSのPostインフォメーションはBEEPで行われるので、起動テストの時には是非とも必要だ。Postカードがあれば要らないけど。
マザーの解体でこのブザーがやたらに余っているので付けてみた。一連の改造の中で最も実用的な改造である(＾＾
実はコネクタ式になっている。汎用を狙ったわけではなく直付でもいいのだが、煩い時には外せるようにしたのだ。ところがドッコイこれでは音が出ないんだな。
実はスピーカーピンにこのようにジャンパを差さなければならないのだ。つまりこのジャンパを差すことでON-OFFをコントロールできることになります。何のことは無い、苦労してコネクタ式にする必要はなかったのだ。まあ苦労というというほど大変な作業ではないけど。真似する人は直付にしましょう(＾＾; いずれこのマザーも直付けにします。しかしこれなかなかいい仕組みだな。このマザーをちょっと見直した。
★R158
R158はGND結線用である。これを0Ω抵抗からFBに変えてみる。特に意味はないかもしれないがテストのため。
FBは特性を気にしなければ無尽蔵？にあるのでガンガン使う。但し1608が見当たらなかったので2012にした。1608用のランドなので見かけはちょっと窮屈である。
★ヒートシンク
このマザーのGMCHには一応ヒートシンクが付いているが、要求を充分に満たしているとはとても言い難い。
そこでD850MVのヒートシンクを流用した。一クラス上の物なので充分以上の効果が期待できる。
オリジナルのヒートシンクは相当強力な両面テープ(分厚いゴムみたいな奴)で付いているので、経験者や自信のある人以外は剥がすのは止めよう。下手するとチップセットや基板を破壊して再起不能になる。筆者もチップセットの基板に(小さいけど)傷が入ってしまった。
★動かしてみる
中間結果を確かめるべく動かしてみた。SL46T(16週)でOCしたらFSB83止まり。FSB100は全く起動する気配はない。改造前はFSB80だったので1段階向上したが、FSB100で動かないと喜びは少ない。FSB83はPCI=41.5MHzなので使う気になれないのだ。但しメモリが最速設定なのでそちらが原因の可能性もある。
★部品一覧
電解コンデンサの日本ケミコン限定という制約は意外に厳しかったな。サン(三洋)やルビコンも可ならもっと楽に完成できた。本当に完成させる場合は限定を外すかもしれない。
LL1(VRM入力インダクタ)→未交換
LL2(VRM出力インダクタ)→T60-19[#19x3P,7T]
MC15,19,20,28,29(CPU_DC)→MLCC15μF×5
追加(VRM入力)→MLCC22μF×2
TC 3(VRM入力)→KZE1500μF6.3V
TC 7(VRM入力)→KZE1500μF6.3V
TC13(VRM出力)→KZH5600μF6.3V
TC14(VRM出力)→省略
TC15(VRM出力)→省略
TC16(VRM出力)→KZH5600μF6.3V
TC18(VRM出力)→KZH5600μF6.3V
TC19(VRM出力)→省略
BZ1→追加
TC 1(Vclk出力)→KZH390μF25V
TC 2(ATX3.3入力)→KZH680μF25V
TC 4(LL1外コンデンサ)→LXZ100μF25V
TC 5(その他)→LXZ100μF25V
TC 6(PLLリファレンス)→PX15μF25V
TC 8(その他)→SMG10μF25V→PX15μF25V
TC 9(USB)：KY220μF10V
TC10(その他)→LXZ100μF25V
TC11(その他)→KRE22μF16V
TC12(Vmem3.3V)→KZH390μF25V
TC17(ICS9250DC)→KRE22μF16V
TC20(ICS9250DC)→KRE22μF16V
TC23(Vtt1.5V)→KZH680μF25V
TC24(Vmem3.3V)→KZH390μF25V
TC25(Vmem3.3V)→KZH390μF25V
TC26(Vcc1.8V)→KZH390μF25V
TC27(Vcc1.8V)→KZH390μF25V
TC28,30(AC97出力)→LXZ100μF25V×2
TC29(その他)→KRE22μF16V
TC31(AGP1.5V)→KZH680μF25V
TC34(PCI/5V)→KZH390μF25V
TC35(78L05出力)→KRE22μF16V
TC36(PCI/12V)→LXZ100μF25V
TC37(LD1117出力)→LXZ100μF25V
TC38(その他)→LXZ100μF25V
TC39(その他)→KRE22μF16V
TC40(その他)→LXZ100μF25V
TC41(USB)：LXZ100μF25V
TC42(PCI/3.3V)→KZH390μF25V
TC43(その他)→KRE22μF16V
F3,5,7:→1.1Aポリスイッチ
R158:→FB(2012)
・使用コンデンサのプロファイル
KRE22μF16V[NA/30mA](7)
KY220μF10V[220mΩ/340mA](1)
KZE1500μF6.3V[23mΩ/1820mA](2)
KZH390μF25V[48mΩ/1210mA](8)
KZH5600μF6.3V[13mΩ/3450mA](3)
KZH680μF25V[32mΩ/1650mA](3)
LXZ100μF25V[250mΩ/290mA](10)
PX15μF25V[75mΩ/1300mA](2)
SMG10μF25V[NA/53mA](1)
()内は本数、全て日本ケミコン製
合計＝200円(銭単位切り上げ、副資材別)
★続く
全ての部分が完成した。OC性能や安定性は上がっているが、気になる部分があるので再度調査改良が必要だ。次回はあまりよくない入力部分をもう一度見直す。但しその前に別の物件が入るだろう。
