哀愁のマザー Intel D850GB(解析編)
哀愁のマザー Intel D850GB(動作編)
Intel D850GB(MOD編1)

 久々に大量本数を一気換えしたので疲れた。後半疲れてきて全体的にはあまりきれいに行かなかった。金にならない作業は真剣さが足りない(^^;


★交換
 今回の交換は大変だった。VRM以外のSMD含むアルミ電解を全部抜いて、ランドの清掃含む基板クリーニングが終わるまでに2、3時間かかったのではないだろうか。何でこんなに時間がかかったのかは解らないが、850リファレンス基板は6層で放熱が良い事と、脚がクリンチしている奴が多かった事が原因かもしれない。本数も50本弱だからかなり多い事は多いのだが。

 今回はポリマータンタルは5つ、通常タンタル3つしか使わなかった。迷った所は踏ん切りがつかず、そこら辺にあったPR330μF6.3Vでお茶を濁す。実は電圧を忘れて耐圧が不安だったというのもある。次回があれば交換するかもしれない。DRDRAMは2.5Vというのが中途半端だ。DDR2のように1.8Vなら全てのタンタルが使えるのだが(SP-CAPの2.0Vも可)。

・ポリマータンタル(5個)
NEOCAP PS/L220μF4.0[12-45mΩ]
POSCAP TPC220μF2.5V[45mΩ]

・通常タンタル(3個)
AVX TAJ10μF16V[2.8Ω]

・通常アルミ電解(43本)
ニチコンPR330μF6.3V[480mΩ]
日本ケミコンKMQ470μF10V[NA]
日本ケミコンKRE22μF16V[NA]
日本ケミコンLXZ100μF25V[250mΩ]

破棄前の価格合計=279円(銭単位切り上げ、副資材別)


Q9K1[Q9K2]の2.5V系
C6H10→NEOCAP PS/L220μF4.0
C6K3→除去
C6L2→NEOCAP PS/L220μF4.0
C8J1→日本ケミコンLXZ100μF25V
C8K7→ニチコンPR330μF6.3V
C9L1(Tantalum)→未実装
CR9J2(SMD)→未実装

Q9L1[Q9L2]の2.5V系
C6H6→NEOCAP PS/L220μF4.0
C6K2→除去
C6K4→NEOCAP PS/L220μF4.0
C7J5→日本ケミコンLXZ100μF25V
C7K7→日本ケミコンLXZ100μF25V
C8J2→日本ケミコンLXZ100μF25V
C8K6→ニチコンPR330μF6.3V
C8K9→日本ケミコンLXZ100μF25V
C9L3→日本ケミコンLXZ100μF25V
CR9J1(SMD)→未実装

3.3V入力Q8E1の2.6V系
C8E1→日本ケミコンLXZ100μF25V
C8F2[C8F3]→日本ケミコンKMQ470μF10V

Q8E1の2.6Vが入力のQ8F1の1.8V系
C5F20→POSCAP TPC220μF2.5V
C6F9→日本ケミコンKMQ470μF10V
C7E15→AVX TAJ10μF16V

3.3V入力Q9F1(Q9F2)2.5V系
C7F6[C7F7]→日本ケミコンKMQ470μF10V
C7J4→日本ケミコンLXZ100μF25V
C8F9[C9F1]→ニチコンPR330μF6.3V
C9J1→日本ケミコンLXZ100μF25V

3.3V入力Q6E1[Q6E2]のAGP1.5V出力
C3F14(Tantalum)→未実装
C3F15→日本ケミコンKMQ470μF10V
C3G13(VR100)→未実装
*どれか一つでよい

SB5.0V入力U10M1の出力SB3.3V
C9L6[C9L7]→ニチコンPR330μF6.3V
C9M2→AVX TAJ10μF16V
C9M3→AVX TAJ10μF16V

12V入力Q10L1の3.3V出力
C10L8→日本ケミコンKMQ470μF10V

12Vライン
C6F7→(AGPPROじゃないので要らない)
C8F4→KRE22μF16V

5Vライン
C10J1→KRE22μF16V

USB5V
C1L6[C1L7]→日本ケミコンKMQ470μF10V
C10C2→日本ケミコンKMQ470μF10V

PCI
C3B1→KRE22μF16V
C3B5→KRE22μF16V
C3C1→KRE22μF16V
C3C2→KRE22μF16V
C3C7→KRE22μF16V
C3D1→KRE22μF16V
C4C7→KRE22μF16V
C5B1→KRE22μF16V
C5B6→KRE22μF16V
C5C2→KRE22μF16V
C5C7→KRE22μF16V
C5C8→KRE22μF16V
C5D1→KRE22μF16V
C5D5→KRE22μF16V

不明
C7J6→KRE22μF16V
C7J7→KRE22μF16V
C8D1→KRE22μF16V
C8D13→KRE22μF16V
C8L1[C8L2]→日本ケミコンKMQ470μF10V
C9C1→KRE22μF16V


 終わったのは夜の11時頃だった。こんなに遅くまで作業したのは何年振りだろうか。動作チェックや撮影は翌日に回す。


★交換後
d850gb_20110824
 このようになった。一見してAGP・PCIバススロットやその他にアルミ電解コンが増えているのが判る。しかし地味だな。どこを換えたのか分かりゃしないじゃないか。これでメモリフル実装で不安定だったメモリ周りは安定するハズだ。HSDLの結論として「D850GBはメモリ周りを強化する必要がある」と言う事だ。特に後期版は絶対やらねばならない。前期版は入力コンデンサを交換した方が良い。休みなく使われていたらそろそろ終了だ。

 今回は主に破棄品の消費が目的だったので、VRM〜CPU周りは全く手付かず。OS-CONも交換するのはまだ先。


vmem
 一番の改良点。DRDRAMの2.5Vである。実は2系統である。ポリマー220μF4.0V×2ずつなので強化と言える。C6K2、C6K3は無用になったので除去。1.8VだったらSP-CAPを使おうと思ったのだが残念でした。


agp
 AGP周りがちょっと弱い。カードが良くないとまともに動かない可能性がある。


pci
 PCIバス・スロット辺りはKRE消費のための作業。効果は殆ど無いだろう。


★終わりに
 VRM周りは殆ど劣化していない筈なので、これで新品時以上の性能が出るはず。あとはOS-CONをいつ分捕るかと言う時期の問題になるわけだが…現時点では要求が無いのでこのまま放置される可能性ある。同じ423マザーなら不自由ながらもOCできるP4ITAの方がやりがいがある。漸くメモリも手に入れたことだし、FSB533の野望は捨てたわけじゃない。まあそれはともかく、動かなかったD850MVの仇はD850GBで討ったというところか。